Więcej informacji o Radiacionnaya stojkost' svetodiodov na osnove geterostruktur AlGaInP

• Dane szczegółowe
• Opis
• Ulubione w innej kategorii

Za ten zakup dostaniesz 224 punkty

Opis

V knige predstavleny rezul'taty issledovaniya vliyaniya oblucheniya bystrymi nejtronami i gamma-kvantami na svetotehnicheskie i jelektrofizicheskie harakteristiki svetodiodov na osnove geterostruktur AlGaInP s mnozhestvennymi kvantovymi yamami. Predlozhena mnogostupenchataya model', pozvolyajushhaya opisat' izmeneniya moshhnosti izlucheniya svetodiodov v rezul'tate vozdejstviya ionizirujushhego izlucheniya. Razrabotannaya model' pozvolyaet prognozirovat' stojkost' svetodiodov k vozdejstviju ionizirujushhego izlucheniya. Kniga prednaznachena dlya nauchnyh rabotnikov, aspirantov, razrabotchikov priborov i specialistov, zanimajushhihsya issledovaniyami radiacionnyh povrezhdenij v poluprovodnikah i poluprovodnikovyh priborah. Ona mozhet byt' polezna studentam starshih kursov VUZov, specializirujushhihsya v oblasti fiziki poluprovodnikov i poluprovodnikovyh priborov.

Szczegóły książki

• Pełny tytuł: Radiacionnaya stojkost' svetodiodov na osnove geterostruktur AlGaInP
• Podtytuł: Kvantovye yamy, nejtrony i gamma-kvanty
• Autor: Alexandr Gradoboev, Xeniya Orlova
• Język: Rosyjski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 252
• EAN: 9783659722998
• ISBN: 3659722995
• ID: 15545638
• Wydawca: Palmarium
• Waga: 392 g
• Wymiary: 220 × 150 × 15 mm
• Data wydania: 04. December 2016

Ulubione w innej kategorii

---

---

---