Defects in Electronic Materials II: Volume 442 / Libristo.pl
Defects in Electronic Materials II: Volume 442

Kod: 02060100

Defects in Electronic Materials II: Volume 442

Autor Thomas KennedyJürgen MichelKlaus ThonkeKazumi Wada

The pervasive role of defects in determining the thermal, mechanical, electrical, optical and magnetic properties of materials is significant as is the knowledge and operation of generation and control of defects in electronic mat ... więcej

113.50

Zwykle: 133.61 zł

Oszczędzasz 20.10 zł


Dodruk
Termin nieznany

Powiadomienie o dostępności

Dodaj do schowka
Podaruj tę książkę jeszcze dziś
  1. Zamów książkę i wybierz "Wyślij jako prezent".
  2. Natychmiast wyślemy Ci bon podarunkowy, który możesz przekazać adresatowi prezentu.
  3. Książka zostanie wysłana do adresata, a Ty o nic nie musisz się martwić.

Dowiedz się więcej

Powiadomienie o dostępności

Powiadomienie o dostępności


Akceptacja - Zgłaszając nam chęć otrzymania powiadomienia, akceptujesz warunki Regulaminu

Będziemy sprawdzać dostępność książki za Ciebie

Wpisz swój adres e-mail, aby otrzymać od nas powiadomienie,
gdy książka będzie dostępna. Proste, prawda?

Więcej informacji o Defects in Electronic Materials II: Volume 442

Za ten zakup dostaniesz 67 punkty

Opis

The pervasive role of defects in determining the thermal, mechanical, electrical, optical and magnetic properties of materials is significant as is the knowledge and operation of generation and control of defects in electronic materials. Developing novel semiconductor materials, however, requires new insights into the role of defects to achieve new properties. New experimental techniques must be developed to study defects in small structures. Research groups come together in this book from MRS to provide a vivid picture of the current problems, progress and methods in defect studies in electronic materials. Topics include new techniques in defect studies; processing induced defects, plasma-induced point defects; processing induced defects -defects and gate-oxide integrity; point defects and reaction; point defects and interactions in Si; impurity diffusion and hydrogen in Si; dislocations in group IV semiconductors; point defects and defect interactions in SiGe; point defects in III-V compounds; compensation and structural defects in III-V compounds and layers and structures.

Szczegóły książki

Kategoria Książki po angielsku Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

113.50

Ulubione w innej kategorii


250 000
zadowolonych klientów

Od roku 2008 obsłużyliśmy wielu miłośników książek, ale dla nas każdy był tym wyjątkowym.


Paczkomat 12,99 ZŁ 31975 punktów

Copyright! ©2008-24 libristo.pl Wszelkie prawa zastrzeżonePrywatnieCookies


Konto: Logowanie
Wszystkie książki świata w jednym miejscu. I co więcej w super cenach.

Koszyk ( pusty )

Kup za 299 zł i
zyskaj darmową dostawę.

Twoja lokalizacja: