Darmowa dostawa dla zamówień powyżej 299,00 zł.

Sprawdzić stan zamówienia

Zostań członkiem wspólnoty miłośników książek z całego świata i zyskaj mnóstwo korzyści. Załóż konto bezpłatnie

Darmowa dostawa z usługą Inpost oraz Orlen od 299.00 zł

DPD Kurier 12.99 zł Poczta Polska 18.99 zł Paczkomat 13.99 zł InPost Kurier 12.99 zł Punkt DPD 13.99 zł

Kontakt

Jak kupować

Pomoc

Moje konto

▸ Pusty :-(

Darmowa dostawa dla zamówień powyżej 299,00 zł.

Ferroelectric Random Access Memories

Name: Ferroelectric Random Access Memories
Brand: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
SKU: 01562920
Price: 1452.14 PLN
Availability: InStock
Author: Hiroshi Ishiwara
ISBN: 9783540407188

Fundamentals and Applications

Hiroshi Ishiwara

Masanori Okuyama

Yoshihiro Arimoto

Język

Angielski

Książka Twarda

Kod Libristo: 01562920

Wydawnictwo Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG, kwiecień 2004

In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which includ... Cały opis

Kod Libristo: 01562920

820 b

Gwarancja
najlepszej
ceny ▸

1 452.14 zł

Dostępna u dostawcy w małych ilościach Wysyłamy za 11-15 dni

Nawet do 30 dni na zwrot

Klienci kupili także

Die Wissenschaft der Murmeln: Daten & Diagramme für Wissenschaft Labor: Band 3 M Schottenbauer

Miękka

67.49 zł

Wild & the Moon - Recettes vegan Sawko

Twarda

157.83 zł

I Bet You Can! Anglais 5e (2018) - Workbook ANDRÉ

Miękka

56.12 zł

COELI ENARRANT INTRODUCTI.CH-PIANO CHANT CAMILLE SAINT-SAENS Książka

binding.

51.05 zł

«Tu wie der Bildhauer» Roy Kunz

Twarda

115.71 zł

Moc dyskomfortu. Jak rezygnacja z wygód i powrót do dzikości przywracają zdrowie, szczęście i poczucie spełnienia Michael Easter

Miękka

44.65 zł

In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which include ferroelectric materials, thin film formation, device physics, circuit design, and so on. This book covers from fundamentals to applications of ferroelectric random access memories (FeRAMs). The book consists of 5 parts: (1) ferroelectric thin films, (2) deposition and characterization methods, (3) fabrication process and circuit design, (4) advanced-type memories, and (5) applications and future prospects; each part is further divided into several chapters. Because of the wide range of topics discussed, each chapter in this book was written by one of the best authors knowing the specific topic very well. Thus, this is a good introductory book on FeRAM for graduate students and newcomers to this field; it also helps specialists to understand FeRAMs more deeply.

Aktorka & Poliglotka

EWA KASP dla

Odtworzyć wideo

Libristo ma największy wybór literatury obcojęzycznej. Dlatego tutaj kupuję swoje książki.

Informacje o książce

Pełna nazwa Ferroelectric Random Access Memories

Autor Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Yoshihiro Arimoto

Język

Angielski

Oprawa Książka - Twarda

Data wydania 2004

Liczba stron 291

EAN 9783540407188

ISBN 3540407189

Kod Libristo 01562920

Wydawnictwo Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG

Waga 1350

Wymiary 155 x 235 x 24

Kategoria

Matematyka i nauki ścisłe > Chemia > Chemia analityczna > Analiza widmowa, spektrochemia, spektrometria mas

Technika, inżynieria i rolnictwo, procesy przemysłowe > Chemia przemysłowa i inżynieria produkcji > Inne technologie przetwórcze i wytwórcze > Metalurgia

Technika, inżynieria i rolnictwo, procesy przemysłowe > Elektronika i telekomunikacja > Inżynieria elektroniczna > Urządzenia i materiały elektroniczne

Matematyka i nauki ścisłe > Nauki ścisłe > Wyposażenie, technologie i doświadczenia naukowe

Matematyka i nauki ścisłe > Fizyka > Stany skupienia materii

Technika, inżynieria i rolnictwo, procesy przemysłowe > Inżynieria mechaniczna i materiałowa > Materiałoznawstwo

Informatyka i technologie informacyjne (IT) > Sprzęt komputerowy > Nośniki danych i urządzenia peryferyjne

Informatyka i technologie informacyjne (IT) > Informatyka (nauka)