Kontakt
Jak kupować
Dostawa
Doradca ds. zakupów
Angielski
471 b
Nawet do 30 dni na zwrot
Klienci kupili także
/
Miękka
83.61
zł
/
Miękka
155.07
zł
/
Miękka
212.96
zł
/
Miękka
38.48
zł
/
Miękka
129.64
zł
/
Miękka
238.69
zł
This thesis outlines the principles, device physics, and technological applications of electronics based on the ultra-wide bandgap semiconductor aluminum nitride. It discusses the basic principles of electrostatics and transport properties of polarization-induced two-dimensional electron and hole channels in semiconductor heterostructures based on aluminum nitride. It explains the discovery of high-density two-dimensional hole gases in undoped heterojunctions, and shows how these high conductivity n- and p-type channels are used for high performance nFETs and pFETs, along with wide bandgap RF, mm-wave, and CMOS applications. The thesis goes on to discuss how the several material advantages of aluminum nitride, such as its high thermal conductivity and piezoelectric coefficient, enable not just high performance of transistors, but also monolithic integration of passive elements such as high frequency filters, enabling a new form factor for integrated RF electronics.
Informacje o książce
Angielski
Podaruj tę książkę jeszcze dziś
To łatwe
1 Dodaj książkę do koszyka i wybierz „dostarczyć jako prezent” 2 W odpowiedzi wyślemy Ci bon 3 Książka dotrze na adres obdarowanegoMogłoby Cię także zainteresować
/
Miękka
166.72
zł
/
Miękka
42.10
zł
/
Adobe ePub DRM
216.37
zł
Cześć! Jestem Libroamiko, Twój doradca książkowy.
Jak mogę Ci pomóc?