Darmowa dostawa dla zamówień powyżej 299,00 zł.

Sprawdzić stan zamówienia

Zostań członkiem wspólnoty miłośników książek z całego świata i zyskaj mnóstwo korzyści. Załóż konto bezpłatnie

Darmowa dostawa z usługą Inpost oraz Orlen od 299.00 zł

Poczta Polska 20.99 zł DPD Kurier 12.99 zł InPost Kurier 12.99 zł Paczkomat 13.99 zł

Kontakt

Jak kupować

Pomoc

Moje konto

▸ Pusty :-(

Darmowa dostawa dla zamówień powyżej 299,00 zł.

Modelling of basic parameters for non-conventional MOSFETs

Name: Modelling of basic parameters for non-conventional MOSFETs
Brand: LAP LAMBERT Academic Publishing
SKU: 43849778
Price: 161.35 PLN
Availability: InStock
Author: Swapnadip De
ISBN: 9786206739814

Swapnadip De

Język

Angielski

Książka Miękka

Kod Libristo: 43849778

Wydawnictwo LAP LAMBERT Academic Publishing, lipiec 2023

In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel... Cały opis

Kod Libristo: 43849778

89 b

161.35 zł

Dostępna u dostawcy Wysyłamy za 8-11 dni

Nawet do 30 dni na zwrot

Klienci kupili także

OM Guitar Stevin McNamara

CD Audio

78.05 zł

Management geriatrischer Patienten in der konservierenden Zahnmedizin und Endodontie Deepika Ghai

Miękka

183.26 zł

Božská kuchařka 2 Alena Kolaříková

Twarda

55.43 zł

Erfahrung Jakobsweg Paul Barthel Schmitter

Miękka

44.62 zł

Tanguy und Laverdure Collector's Edition 01 Jean-Michel Charlier

Twarda

134.59 zł

El tercio que nunca existió JOSE JAVIER ESPARZA

Miękka

113.79 zł

Mark Seliger Mark Seliger

Miękka

119.95 zł

Sekretny język komunikacji. Jak odczytywać i przekazywać sygnały werbalne i niewerbalne Vanessa Van Edwards

Miękka

62.19 zł

Bleach - Bring mich nicht um mein Vergnügen Tite Kubo

Miękka

31.98 zł

Lebensform Universitat Klaus Kruger

Adobe ePub DRM

500.33 zł

Der Maschinenbau gibt sich eine neue Strategie R Reuter

Miękka

39.95 zł

Tratado SER de Diagnóstico y Tratamiento de Enfermedades Autoinmunes Sistémicas (Incluye acceso a eB Sociedad Española de Reumatología

Książka

453.77 zł

Escala Auxiliar Administrativa de la Universidad de Salamanca. Temario

Miękka

368.45 zł

Decisiones Maialen Alonso

Miękka

73.40 zł

Angličtina pro 4.ročník základní školy Marie Zahálková

Miękka

29.68 zł

Primi esercizi inglese di lettura comprensione del testo in lingua English Italiano Ungherese: Un programma stimolare e potenziare le abilit? di lettu Erick Leonardel

Miękka

58.35 zł

la basura que nadie quiere: para parejas Marvin Capacho

Miękka

34.12 zł

Technik des Dramas Gustav Freytag

Miękka

95.61 zł

Peygamber Yolu Oyunu Kolektif

Miękka

35.91 zł

Meine Jugend hat spät begonnen Henry Miller

Miękka

52.19 zł

In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. Advanced MOSFETs are non-uniformly doped as a result of complex process flow. Therefore, one of the key factors to model the characteristic parameters accurately is to model its non uniform doping profile. The book also presents an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage, drift-diffusion theory based drain current and transconductance model for linear and Gaussian profile based SHDMG and DHDMG n-MOSFETs operating up to 40nm regime. A quasi-Fermi potential based analytical sub threshold drain current model for linear as well as Gaussian profile based SHDMG and DHDMG MOS transistor, incorporating the fringing fields at the two ends of the device is also proposed.