Kontakt
Jak kupować
Dostawa
Doradca ds. zakupów
Angielski
249 b
30 dni na zwrot towaru
Klienci kupili także
/
Miękka
106.25
zł
/
Miękka
44.38
zł
/
Twarda
295.38
zł
The metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) was invented in 1960. The processing technology required for suc cessful high volume fabrication became available in 1968. The use of doped polycrystalline silicon as the gate electrode, instead of aluminum or some other metal, resulted in substantial enhancement in performance. Efforts to improve the properties of MOS devices produced new structures such as: CMOS, MNOS, SOS, VMOS, DMOS, FAMOS, etc. In recent years a great deal of work has been done to study the fabrication and properties of MOSFET's. There are two reasons for this huge interest in this subiect: (1) higher density of device per chip, (2) higher yields and lower costs. Both of these factors make MOSFET's more competitive than bipolar transistors for VLSI purposes. This book is a comprehensive bibliography of of over 4400 references of the world literature in MOSFET technologies. It also includes the literature on charge-coupled devices and GaAs FET's.
Informacje o książce
Angielski
Podaruj tę książkę jeszcze dziś
To łatwe
1 Dodaj książkę do koszyka i wybierz „dostarczyć jako prezent” 2 W odpowiedzi wyślemy Ci bon 3 Książka dotrze na adres obdarowanegoMogłoby Cię także zainteresować
/
Twarda
476.67
zł
/
Twarda
3 774.66
zł
/
Miękka
130.26
zł
Cześć! Jestem Libroamiko, Twój doradca książkowy.
Jak mogę Ci pomóc?