Zobacz książki o podobnej tematyce

Więcej informacji o AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

• Dane szczegółowe
• Opis
• Ulubione w innej kategorii

Za ten zakup dostaniesz 123 punkty

Opis

This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.

Szczegóły książki

• Pełny tytuł: AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
• Autor: Jutta Kühn
• Język: Angielski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 259
• EAN: 9783866446151
• ID: 01877569
• Wydawca: KIT Scientific Publishing
• Waga: 430 g
• Wymiary: 210 × 148 × 12 mm
• Rok wydania: 2011

Ulubione w innej kategorii

---

---

---