Zobacz książki o podobnej tematyce

Więcej informacji o Analytical and Numerical Studies of Defect Formation in SiC

• Dane szczegółowe
• Opis
• Ulubione w innej kategorii

Za ten zakup dostaniesz 180 punkty

Opis

Improvement of PVT (Physical Vapor Transport) grown §SiC (Silicon Carbide) structural quality is crucial §for the wide commercialization of SiC electronic §devices that feature superior characteristics for §power conditioning and control. This is why, this §publication is devoted to investigation and §development of comprehensive models that can help to §explain, understand and, then, eliminate §formation of various defects in SiC during PVT §growth.

Szczegóły książki

• Pełny tytuł: Analytical and Numerical Studies of Defect Formation in SiC
• Autor: Roman Drachev
• Język: Angielski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 200
• EAN: 9783639120943
• ID: 06820909
• Wydawca: VDM Verlag Dr. Müller
• Waga: 240 g
• Wymiary: 211 × 150 × 15 mm
• Rok wydania: 2009

Ulubione w innej kategorii

---

---

---